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详细研究了离轴掩模的原理，将离轴照明（OAI）与相移掩模（PSM）技术结构起来，在掩模上同时实现两种功能。较大程度地提高了光刻分辨力。实验表明，在数值孔径0.42,i线曝光波长下，可将光刻分辨力从0.8um提高到0.5um.
可提高光刻分辨率的新技术
【摘 要】
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详细研究了离轴掩模的原理，将离轴照明（OAI）与相移掩模（PSM）技术结构起来，在掩模上同时实现两种功能。较大程度地提高了光刻分辨力。实验表明，在数值孔径0.42,i线曝光波长下，可将光刻
【机 构】
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中国科学院光电技术研究所微细加工光学技术国家实验室
【出 处】
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光子学报
【发表日期】
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2000年9期
【基金项目】
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国家自然科学基金!(编号为 698760 4 1 ),,微细加工光学技术国家实验室基金资助项目
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