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在３μｍ工艺条件下开发了一套实用的互补双极工艺（ＣＢ）。利用此工艺制造出特征频率分别为３．２ＧＨｚ和１．６ＧＨｚ的高性能ＮＰＮ与ＰＮＰ管，并成功地集成在压摆率高达２２００Ｖ／μｓ的高速运算放大器芯片中。
一种实用化的互补双极工艺技术
【摘 要】
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在３μｍ工艺条件下开发了一套实用的互补双极工艺（ＣＢ）。利用此工艺制造出特征频率分别为３．２ＧＨｚ和１．６ＧＨｚ的高性能ＮＰＮ与ＰＮＰ管，并成功地集成在压摆率高达２２００Ｖ／μｓ的高速运算放大器芯片中。
【机 构】
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信息产业部电子第二十四研究所
【出 处】
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微电子学
【发表日期】
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2000年1期
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