半导体中离子注入瞬时掺杂的温度计算

来源 :四川师范大学学报(自然科学版) | 被引量 : 0次 | 上传用户:kissyouss
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本文对半导体中离子注入瞬时掺杂时靶片的瞬时温度进行理论计算,给出了靶片瞬时温度跟注入离子能量、束流密度以及靶片材料性能参数的关系式,作出了靶片中温度瞬态空间分布的归一化曲线,列举了B~+,As~+离子注入Si 中在不同束流功率密度下靶片瞬时温升的计算值。 In this paper, the instantaneous temperature of the target during instantaneous doping of ions in the semiconductor is theoretically calculated. The relationship between the instantaneous temperature of the target and the ion energy, the beam current density and the performance parameters of the target is given. The normalized curve of the transient spatial distribution shows the calculated values ​​of the instantaneous temperature rise of the target at different beam power densities for B ~ +, As ~ + ions.
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