【摘 要】
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世界顶尖的低功率铁电存储器(F-RAM)和集成半导体产品开发及供应商Ramtron International Corporation宣布其1兆位(Mb)、2.0～3.6V串行F-RAM存储器FM25V10-G,业已通过AEC-Q100
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世界顶尖的低功率铁电存储器(F-RAM)和集成半导体产品开发及供应商Ramtron International Corporation宣布其1兆位(Mb)、2.0～3.6V串行F-RAM存储器FM25V10-G,业已通过AEC-Q100 Grade 3标准认证,这一严格的汽车等级认证,是汽车电子设备委员会(Automotive Electronic Council)针对集成电路而制定的应力测试认证。
Ramtron International Corporation, the world’s leading low-power ferroelectric memory (F-RAM) and integrated semiconductor product development and supplier, announces its FM25V10-G, a 1-megabit, 2.0-3.6V serial F-RAM memory, -Q100 Grade 3 certification, a rigorous automotive grade certification, is a stress test certification for the integrated circuit of the Automotive Electronic Council.
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