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利用半导体电化学腐蚀原理对辉铜矿和铜蓝浸出机理进行理论分析,研究细菌浸出低品位含铜矿石的机理和动力学,并对部分原矿和浸出渣进行了光学显微分析.试验结果证实了辉铜矿在浸出过程中产生一系列具有不同组成的中间产物.随着铜硫比的降低,中间产物浸出所需的氧化还原电位越来越高,铜的浸出越来越困难.
辉铜矿和铜蓝的浸出机理研究
【摘 要】
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利用半导体电化学腐蚀原理对辉铜矿和铜蓝浸出机理进行理论分析,研究细菌浸出低品位含铜矿石的机理和动力学,并对部分原矿和浸出渣进行了光学显微分析.试验结果证实了辉铜矿
【机 构】
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东北大学,北京矿冶研究总院
【出 处】
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有色金属
【发表日期】
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2002年3期
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