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CH薄膜的制备是埋点靶制备的关键技术之一，主要研究了钨丝辅助裂解制备CH薄膜的制备工艺。研究表明蒸发舟温度和衬底温度对沉积速率影响较大，而衬底距离对沉积速率影响较小；红外光谱和质谱分析表明薄膜的主要成分是聚对二甲苯。
埋点靶中CH薄膜的制备工艺研究
【摘 要】
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CH薄膜的制备是埋点靶制备的关键技术之一，主要研究了钨丝辅助裂解制备CH薄膜的制备工艺。研究表明蒸发舟温度和衬底温度对沉积速率影响较大，而衬底距离对沉积速率影响较小；红外
【机 构】
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中国工程物理研究院
【出 处】
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强激光与粒子束
【发表日期】
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2001年1期
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