Zn在GaAs中的开管扩散

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采用开管扩散在GaAs中扩散获得成功。比较了不同温度及不同的扩散条件下的扩散结深,扩散浓度的关系;并测量了不同扩散时间Zn的损耗量。采用红外光谱法分析了表面扩散浓度,并在实际的GaAs正面LED中得到了应用。 The use of open-tube diffusion diffusion in GaAs success. The relationship between diffusion junction depth and diffusion concentration under different temperatures and different diffusion conditions was compared. The loss of Zn at different diffusion time was also measured. The surface diffusion concentration was analyzed by infrared spectroscopy and applied to the actual GaAs front LED.
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