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针对等离子体浸没离子注入技术在绝缘体表面制备硅薄膜工艺,采用一维脉冲鞘层模型描述介质靶表面的充电效应对鞘层厚度、注入剂量及靶表面电位等物理量的影响.数值模拟结果表明:随着等离子体密度的增高,表面的充电效应将导致鞘层厚度变薄、表面电位下降以及注入剂量增加,而介质的厚度对鞘层特性的影响则相对较小.
介质靶表面的充电效应对等离子体浸没离子注入过程中鞘层特性的影响
【摘 要】
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针对等离子体浸没离子注入技术在绝缘体表面制备硅薄膜工艺,采用一维脉冲鞘层模型描述介质靶表面的充电效应对鞘层厚度、注入剂量及靶表面电位等物理量的影响.数值模拟结果表
【机 构】
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大连理工大学物理系
【出 处】
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物理学报
【发表日期】
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2004年期
【基金项目】
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教育部跨世纪优秀人才培养计划;
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