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利用TRIM模拟中的蒙特卡罗方法计算了镓（Gallium）离子在Cu薄膜上的溅射产额。分析溅射产额对镓离子的数量、入射离子的能量和离子入射角度的依赖关系。
镓聚焦离子束研磨Cu薄膜的模拟
【摘 要】
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利用TRIM模拟中的蒙特卡罗方法计算了镓（Gallium）离子在Cu薄膜上的溅射产额。分析溅射产额对镓离子的数量、入射离子的能量和离子入射角度的依赖关系。
【机 构】
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保山高等师范专科学校计科系,云南省电子工业研究所
【出 处】
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云南师范大学学报(自然科学版)
【发表日期】
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2009年1期
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