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分析了载流子迁移率,薄层载流子浓度、饱和电子漂移速度,导带断续,沟道温度等与自热效应的关系,建立了模拟Al Ga N/Ga N高电子迁移率晶体管直流I-V特性的解析模型。仿真结果同试验结果吻合良好,说明了该模型的正确性。
热效应对AlGaN/GaN HEMT的影响
【摘 要】
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分析了载流子迁移率,薄层载流子浓度、饱和电子漂移速度,导带断续,沟道温度等与自热效应的关系,建立了模拟Al Ga N/Ga N高电子迁移率晶体管直流I-V特性的解析模型。仿真结果
【机 构】
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河北工业大学信息工程学院,石家庄学院物理与电气信息工程学院,河北北方学院信息科学与工程学院
【出 处】
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中国新通信
【发表日期】
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2015年23期
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