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报道了一个具有低噪声性能的 2～ 2 6GHzGaAs超宽带单片功率放大器的研究结果 ,介绍了模型提取、电路设计和单片制作的全过程 .放大器采用分布式设计 ,在超宽带频率范围内增益为 6 5± 0 5dB ,输入输出驻波比小于 2 0 .在 2～ 2 0GHz内测得输出功率大于 30 0mW ,噪声系数为 3 5～ 5 5dB .单片放大器包括所有匹配、隔直及偏置电路 ,芯片面积为 3 2mm× 1 2 75mm× 0 1mm .