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基极微空气桥和发射极空气桥的InP/InGaAs HBT
基极微空气桥和发射极空气桥的InP/InGaAs HBT
来源 :半导体学报 | 被引量 : 0次 | 上传用户:ylali001
【摘 要】
:
报道了具有基极微空气桥和发射极空气桥结构的InP单异质结双极型晶体管(SHBT).由于基极微空气桥和发射极空气桥结构有效地减小了寄生,发射极尺寸为2μm×12.5μm的InPHBT的截
【作 者】
:
于进勇
刘新宇
苏树兵
王润梅
徐安怀
齐鸣
【机 构】
:
中国科学院微电子研究所,中国科学院上海微系统与信息技术研究所
【出 处】
:
半导体学报
【发表日期】
:
2007年2期
【关键词】
:
InP
异质结双极型晶体管
微空气桥
空气桥
自对准
InP
HBT
μ-bridge; air-bridges self-aligning
【基金项目】
:
国家重点基础研究发展规划(批准号:2002CB311903)及中国科学院创新基金(批准号:KGCX2.107)资助项目
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报道了具有基极微空气桥和发射极空气桥结构的InP单异质结双极型晶体管(SHBT).由于基极微空气桥和发射极空气桥结构有效地减小了寄生,发射极尺寸为2μm×12.5μm的InPHBT的截止频率达到了178GHz.这种器件对高速低功耗的应用非常关键,例如OEIC接收机以及模拟、数字转换器。
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