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应用约束刻蚀剂层技术（CELT）对GaAs进行电化学微加工.研究了刻蚀溶液体系中各组成的浓度比例、GaAs类型、掺杂以及阳极腐蚀过程对GaAs刻蚀加工过程的影响.循环伏安实验表明,Br-可以通过电化学反应生成Br2作为刻蚀剂,L-胱氨酸可作为有效的捕捉剂.CELT中刻蚀剂层被紧紧束缚于模板表面,模板和工件之间的距离小于刻蚀剂层的厚度时,刻蚀剂可以对GaAs进行加工.利用表面具有微凸半球阵列的导电模板,可以在不同类型GaAs上加工得到微孔阵列.实验结果表明：在相同刻蚀条件下,GaAs的加工分辨率与刻蚀体系中