C/SiC表面SiC涂层氧化的显微CT无损检测与分析

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对C/SiC复合材料表面SiC涂层在1300℃干氧和湿氧环境中退火处理60 h,利用显微CT技术对高温氧化后的SiC涂层进行无损检测。通过重构SiC涂层不同深度的氧化形貌,并利用SEM、EDS和XRD进行辅助验证,得到沿SiC涂层表面和厚度方向的氧化形貌。结果表明:显微CT能有效地检测氧化后SiC涂层中存在的氧化产物SiO2及其氧化深度,其在表面及深度方向均呈非均匀分布;在干氧环境中SiC涂层的氧化面积沿着涂层的深度方向呈减少趋势,而在湿氧环境中SiC涂层的氧化面积沿着涂层的深度方向呈先增加后递减的趋势,验证了C/SiC复合材料表面SiC涂层在干氧和湿氧中不同的氧化机制。 The SiC coating on the surface of C / SiC composites was annealed at 1300 ℃ for 60 h in dry oxygen and wet oxygen environment. The microstructure of the SiC coating after high temperature oxidation was examined by using the micro-CT technique. The oxidized morphology along the surface and thickness of the SiC coating was obtained by reconstructing the oxidation morphology at different depths of the SiC coating and using the aid of SEM, EDS and XRD. The results show that the micro-CT can effectively detect the oxidation product SiO2 and its oxidation depth in the oxidized SiC coating, which is unevenly distributed in the surface and the depth direction. In the dry oxygen environment, the oxidation area of ​​the SiC coating The depth of the coating tends to decrease. In the wet-oxygen environment, the oxidation area of ​​the SiC coating first increases and then decreases along the depth of the coating, which verifies that the SiC coating on the surface of the C / SiC composite is dry Different oxidation mechanisms in oxygen and wet oxygen.
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