【摘 要】
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TSV技术是实现集成电路3D封装互连、降低RC延迟和信号干扰、改善芯片传输速度及功耗的有效方法。基于TSV技术的CMP工艺主要用于通孔大马士革铜工艺淀积后的正面抛光和晶圆背
【机 构】
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中国电子科技集团公司第四十五研究所
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TSV技术是实现集成电路3D封装互连、降低RC延迟和信号干扰、改善芯片传输速度及功耗的有效方法。基于TSV技术的CMP工艺主要用于通孔大马士革铜工艺淀积后的正面抛光和晶圆背面TSV结构的暴露及平坦化工艺,分步抛光工艺匹配技术具有去除速率高、抛光时间可控、碎片风险小、选择比低、凹陷及凸起缺陷少等特点,铜的去除率大于1000nm/min,铜凹陷小于15nm,平坦化表面粗糙度小于1nm,表面不均匀度小于5%,可满足TSV工艺技术中晶圆表面的平坦化需求。
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