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通过分析混频器中噪声的产生机制,阐述了降低混频器1/f噪声的措施,设计了一种采用动态电流注入和谐振电感的可应用于零中频的低1/f噪声有源混频器。该混频器有很低的转角频率,NF在100kHz时仅为11.8dB,转换增益为14.5dB,IP3为-4.76dBm,功耗为7.5mW。
一种低1/f噪声CMOS混频器的分析和设计
【摘 要】
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通过分析混频器中噪声的产生机制,阐述了降低混频器1/f噪声的措施,设计了一种采用动态电流注入和谐振电感的可应用于零中频的低1/f噪声有源混频器。该混频器有很低的转角频率
【机 构】
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上海交通大学微纳米技术研究院,华虹NEC电子有限公司
【出 处】
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微处理机
【发表日期】
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2009年2期
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