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ZnO是Ⅱ-Ⅵ族宽禁带半导体材料,与GaN相比,具有宽禁带、激子结合能大等优点,是一种极具开发潜力的新型半导体材料.该文对目前国内外经常采用的ZnO薄膜的主要物理制备方法和化学制备方法进行了详细的介绍,包括磁控溅射法、脉冲激光沉积法、金属有机物化学气相沉积法、溶胶凝胶法等,并对几种方法各自的优缺点做出综合研究和归纳总结.