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Si3N4超微粒的RF—CVD合成及其介电性质
Si3N4超微粒的RF—CVD合成及其介电性质
来源 :硅酸盐学报 | 被引量 : 0次 | 上传用户:long060112
【摘 要】
:
利用自制的RF-CVD装置合成了Si3N4超微粒。着重考察了反应气混合方式对反应机理、化学含量、粒子形态及凝聚结构的影响。得到的Si3N4粒子的典型尺寸为10-50nm,并且凝聚形成分形结构,其对应不同的反应温
【作 者】
:
朱以华
朱宏杰
【机 构】
:
华东理工大学技术化学物理研究所,国家超细粉末工程研究中心
【出 处】
:
硅酸盐学报
【发表日期】
:
1996年3期
【关键词】
:
等离子体
化学气相淀积
氮化硅
超微粒
介电性质
s: plasma
CVD
silicon nitride
ultrafine powders
dielec
【基金项目】
:
国家自然科学基金
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利用自制的RF-CVD装置合成了Si3N4超微粒。着重考察了反应气混合方式对反应机理、化学含量、粒子形态及凝聚结构的影响。得到的Si3N4粒子的典型尺寸为10-50nm,并且凝聚形成分形结构,其对应不同的反应温度合成的粒子的分形维数约为2.15到1.74之间。
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