【摘 要】
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福特微电子公司和福特宇航公司成功地演示了采用GaAs-Si材料制做光伏型碲镉汞(HgCdTe)探测器和全功能大规模集成(LSI)数字电路。这种LSI数字电路是一种504个门电路阵,每个达
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福特微电子公司和福特宇航公司成功地演示了采用GaAs-Si材料制做光伏型碲镉汞(HgCdTe)探测器和全功能大规模集成(LSI)数字电路。这种LSI数字电路是一种504个门电路阵,每个达到90％门电路利用率,即大约6600个晶体管。中红外光伏型HeCdTe探测器
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