【摘 要】
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【目的】SiC 材料结构缺陷的检测和控制是实现材料应用的关键环节,因此本文对6H-SiC 单晶中的结构缺陷进行研究.【方法】采用同步辐射白光形貌术观察6H-SiC 单晶中的基本螺位
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【目的】SiC 材料结构缺陷的检测和控制是实现材料应用的关键环节,因此本文对6H-SiC 单晶中的结构缺陷进行研究.【方法】采用同步辐射白光形貌术观察6H-SiC 单晶中的基本螺位错和基平面弯曲,并利用X 射线迹线法模拟基本螺位错的形貌和基平面弯曲后衍射斑点的形状.【结果】6H-SiC 单晶中的典型结构缺陷之一为基本螺位错,它的形貌特征为白色的圆斑;由于热弹应力的存在,6H-SiC 单晶在生长过程中容易发生基平面弯曲,结果导致衍射斑点的形状发生改变.【结论】同步辐射白光形貌术和X 射线迹线法可以用于检测6
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