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电子束刻蚀后,通过刻蚀改变了薄膜基片中的分子的重量,并导致希望曝光区域和实际曝光区域不一致,这一现象被称为"邻近效应".利用SDS-3电子束曝光机完成有关邻近效应的试验.加工过程中加速电压为5～ 30 kV,衬底基片为硅和PMMA,使校正后邻近效应参量减少30%.给出实际完成基片图.
电子束在MEMS加工中邻近效应的分析与补偿
【摘 要】
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电子束刻蚀后,通过刻蚀改变了薄膜基片中的分子的重量,并导致希望曝光区域和实际曝光区域不一致,这一现象被称为"邻近效应".利用SDS-3电子束曝光机完成有关邻近效应的试验.加
【机 构】
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山东大学控制科学与工程学院,山东大学机械工程学院
【出 处】
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机械工程学报
【发表日期】
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2004年9期
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