电子束蒸发制备CdS多晶薄膜及性质研究

来源 :真空科学与技术学报 | 被引量 : 0次 | 上传用户:zzh19860525anan
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采用电子束蒸发工艺在普通玻璃衬底上制备了硫化镉(CAS)多晶薄膜,研究了不同衬底温度对薄膜结构、表面形貌及光透过率的影响。测试结果显示:(1)不同衬底温度下沉积的CdS薄膜均呈现了〈002〉晶向的高度优势生长,属于六方相结构。随着衬底温度的升高,还逐渐出现了〈103〉、〈004〉、〈105〉等六方晶向;(2)CdS多晶薄膜表面连续,致密性好,且晶粒大小随着衬底温度的升高而增大;(3)低温下制备CdS薄膜吸收谱有较宽的吸收边,随着衬底温度的升高,吸收曲线趋于陡直。制备样品在550nm波段后的平均透过率都超过
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