【摘 要】
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提出了一种用于手机多模多频前端的射频单刀八掷(SP8T)天线开关设计,该开关采用绝缘体上硅(SOI)工艺实现。由于衬底电阻率高达1 000Ω·cm,且在器件选取和电路结构设计方面采
【机 构】
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中国科学院上海高等研究院,中国科学院大学
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提出了一种用于手机多模多频前端的射频单刀八掷(SP8T)天线开关设计,该开关采用绝缘体上硅(SOI)工艺实现。由于衬底电阻率高达1 000Ω·cm,且在器件选取和电路结构设计方面采用了多种技巧,实测结果表明,该款开关的插入损耗在0~2.4GHz频段内均小于1dB,隔离度平均大于35dB,功率处理能力也达到了36dBm以上,完全满足设计需求。
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