【摘 要】
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PREVAIL作为下一代电子束投影曝光技术 ,采用可变轴浸没透镜 ,对以硅为支架的碳化硅薄膜进行投影微缩曝光。在 1mm2 子场的情况下 ,运用步进扫描曝光方式 ,在 1 0 0nm临界尺
【机 构】
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中国科学院微电子中心光掩模实验室,中国科学院微电子中心光掩模实验室,中国科学院微电子中心光掩模实验室,中国科学院微电子中心光掩模实验室,中国科学院微电子中心光掩模实验室,中国科学院微电子中心光掩模实验
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PREVAIL作为下一代电子束投影曝光技术 ,采用可变轴浸没透镜 ,对以硅为支架的碳化硅薄膜进行投影微缩曝光。在 1mm2 子场的情况下 ,运用步进扫描曝光方式 ,在 1 0 0nm临界尺寸下具有较高的产量 ,与EUVL技术一起成为下一代曝光技术的有力竞争者。
PREVAIL as the next generation of electron beam projection exposure technology, the use of variable axis immersion lens, silicon-based silicon carbide film for projection micro-exposure. In the 1mm2 sub-field case, the use of step-and-scan exposure, with a critical size of 100nm has a higher yield, together with the EUVL technology as a powerful competitor to the next generation of exposure technology.
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