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High Curie temperature ferromagnetism and high hole mobility in tensile strained Mn-doped SiGe thin

来源 :半导体学报:英文版 | 被引量 : 0次 | 上传用户：uuuuurzm

【摘 要】

：

Up to now,substantial work has been carried out on different materials-based diluted magnetic semiconductors,and great achievements have been made on increasing

【作 者】

：

Jianhua Zhao 

【机 构】

：

StateKeyLaboratoryofSuperlatticesandMicrostructures

【出 处】

：

半导体学报:英文版

【发表日期】

：

2020年8期

【关键词】

：

MOBILITY SCATTERING SIGE 

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Up to now,substantial work has been carried out on different materials-based diluted magnetic semiconductors,and great achievements have been made on increasing Curie temperature of these materials.However,the carrier mobility of the magnetic semiconducto

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