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为满足甚大规模集成电路（ULSI）互连结构高质量、高效率化学机械抛光（CMP）的要求，以LB2Mer模型为理论指导，对恒液面聚合生长法制备大粒径、低分散度硅溶胶研磨料的粒径增长阶段进行了机理分析，并讨论了加料速率对平均粒径及分散度的影响；优化加料速率为3．6mL/min，以此控制体系中硅酸浓度的变化趋势，避免产生两种类型的新晶核，实现了单纯的粒径增长．以胶粒平均粒径28nm、分散度1．13的母液制备出粒径57nm、分散度1．07的硅溶胶．通过工艺调整并按照分级生长模式，进一步制得符合高质量、高效率CMP专