【摘 要】
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采用磁控溅射先驱丝法并结合热等静压技术制备了SiCf/Ti65复合材料,对其在650、750、800和900℃进行了长时间热暴露实验.结果 表明,热等静压和热暴露过程中,SiCf/Ti65复合材
【机 构】
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中国科学院金属研究所 沈阳110016;中国科学技术大学材料科学与工程学院 沈阳110016
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采用磁控溅射先驱丝法并结合热等静压技术制备了SiCf/Ti65复合材料,对其在650、750、800和900℃进行了长时间热暴露实验.结果 表明,热等静压和热暴露过程中,SiCf/Ti65复合材料内部各元素同时参与界面互扩散和基体相变扩散.热等静压后,SiCf/Ti65复合材料界面反应层产物主要为TiC,基体中相变产物为等轴的(Zr, Nb)5Si4.热暴露过程中,界面反应逐渐生成了Ti5Si3和(Zr, Nb)5Si4,基体相变则有了Ti3(Al,Sn)C和TiC生成.SiCf/Ti65复合材料反应层长大激活能为93 kJ/mol,该材料界面可以在650℃及以下温度长时间保持稳定.
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