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利用电化学方法在N型0．01Ω·cm单晶抛光硅片上制备纳米有序多孔硅，研究电流密度对其形貌及光学性能的影响；并通过对硅基体进行预处理达到消除多孔硅表面小孔硅的目的．结果表明，随着电流密度的增大，多孔硅的孔径、孔隙率以及光学厚度均增大．给经过预处理的硅基体施加75mA／cm2的电流密度，多孔硅的表面孔径达到50nm，与体孔径大小一致；在光学检测中对酒精溶液表现出良好的敏感性，检测浓度能够低至5×10-5mol／L．