CMOS器件的脉冲γ总剂量效应初探

来源 :核电子学与探测技术 | 被引量 : 0次 | 上传用户：slksm

【摘要】

：

利用"强光一号"加速器对部分CMOS器件开展了脉冲总剂量时间关联的辐射效应实验,研究了脉冲辐照后阈值电压漂移与时间的关联响应,以及辐照栅偏压对初始阈值电压漂移的影响,并

【作者】

：

罗尹虹龚建成关颖石小峰郭红霞

【机构】

：

西北核技术研究所

【出处】

：

核电子学与探测技术

【发表日期】

：

2004年6期

【关键词】

：

CMOS器件阈值电压漂移总剂量效应 NMOSFET PMOSFET 陷阱电荷界面态 ^60Co 损伤辐照 total dose pulsed γ tim

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利用"强光一号"加速器对部分CMOS器件开展了脉冲总剂量时间关联的辐射效应实验,研究了脉冲辐照后阈值电压漂移与时间的关联响应,以及辐照栅偏压对初始阈值电压漂移的影响,并比较了在给定实验条件下NMOSFET和PMOSFET脉冲总剂量效应与60Coγ稳态总剂量效应之间的损伤差异,运用复合模型、氧化物陷阱电荷的隧道退火以及界面态建立的两阶段模型对实验结果进行了分析.

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