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BST薄膜高介电调谐率和低介电损耗的设计
BST薄膜高介电调谐率和低介电损耗的设计
来源 :兵器材料科学与工程 | 被引量 : 0次 | 上传用户:yourwp
【摘 要】
:
钛酸锶钡(BST)薄膜显著的介电非线性效应归因于Ti^4+偏离氧八面体中心的位移。从BST薄膜的相变行为出发,讨论影响介电性的3种因素,即组分、电极材料和薄膜厚度,以期保持BST薄膜
【作 者】
:
蔡玉平
冯蒙丽
韩代朝
【机 构】
:
军械工程学院基础部
【出 处】
:
兵器材料科学与工程
【发表日期】
:
2010年4期
【关键词】
:
铁电薄膜
介电非线性
微波移相器
ferroelectric thin films dielectric nonlinearity microwave phas
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钛酸锶钡(BST)薄膜显著的介电非线性效应归因于Ti^4+偏离氧八面体中心的位移。从BST薄膜的相变行为出发,讨论影响介电性的3种因素,即组分、电极材料和薄膜厚度,以期保持BST薄膜高介电调谐率的同时,获得低介电损耗,为最大限度地提高BST微波移相器的性能提供可能。
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