【摘 要】
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通过倍频Nd∶YAG固体激光的基波得到波长分别为532、355和266 nm的激光,研究了单晶硅（Si）对不同波长固体激光的吸收规律和3种不同波长激光在真空条件下烧蚀单晶Si的烧蚀特征。
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通过倍频Nd∶YAG固体激光的基波得到波长分别为532、355和266 nm的激光,研究了单晶硅（Si）对不同波长固体激光的吸收规律和3种不同波长激光在真空条件下烧蚀单晶Si的烧蚀特征。结果表明,单晶Si对波长为100~370 nm的紫外激光具有很好的吸收效果;在其他条件相同时,532 nm波长激光烧蚀单晶Si所需最低单脉冲能量（Ep=30μJ）是355和266 nm波长激光烧蚀单晶Si所需最低单脉冲能量（Ep=15μJ）的2倍;532、355和266 nm的激光烧蚀单晶Si的烧蚀阈值随着波长的变短而变小
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