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研究了采用射频磁控溅射法在SiO2／Si衬底上制备ZnO薄膜工艺中溅射功率、氧氩比（V（O2）／V（Ar））及衬底温度对ZnO薄膜结构的影响。利用X射线衍射（XRD）和扫描力显微镜（AFM）对薄膜进行结构性能分析，表明其结构性能随工艺参数变化的规律。利用优化的工艺条件：射频功率60W、V（O2）／V（Ar）为0．55和衬底温度350℃，在DLC／Si衬底上制备了ZnO薄膜，制作加工成声表面波滤波器件，测试分析了频率响应特性，中心频率为596．5MHz。