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ヱィア一ルワィ公司新近开发了一种高散热性高绝缘性碳化硅烧成体。采用高纯度碳作原料并改良烧成条件，从而制得了既保持了很高的热导率又提高了绝缘性的SiC烧成体。所用原料碳是制造碳纳米管时的副产物（非晶态碳），纯度很高。这种碳与硅混合后于2400℃高温烧成，烧成时既控制温度又要控制加热时间等烧成条件，从而确立了高绝缘性SiC烧成技术。