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利用电路级模拟方法，在65nm体硅CMOS工艺条件下研究了器件尺寸对其脉冲削减效应的影响．结果表明，当被动反相器的尺寸改变时，脉冲削减效应的变化趋势与其内部双极放大效应的强弱有关．在双极放大效应较强时，脉冲削减效应随尺寸的增加而增强；反之，则其脉冲削减效应随尺寸的增加而减弱．
65nm体硅CMOS工艺器件尺寸对其脉冲削减效应的影响
【摘 要】
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利用电路级模拟方法，在65nm体硅CMOS工艺条件下研究了器件尺寸对其脉冲削减效应的影响．结果表明，当被动反相器的尺寸改变时，脉冲削减效应的变化趋势与其内部双极放大效应的强弱有
【机 构】
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国防科学技术大学计算机学院
【出 处】
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上海交通大学学报
【发表日期】
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2013年1期
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