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本文使用导模法（EFG）制备了4英寸氧化镓（β-Ga2O3）单晶,并对晶体物相、结晶质量、缺陷、光学及电学特性进行了研究。晶体不同方向劳厄（Laue）衍射斑点清晰一致,符合β-Ga2O3衍射特征。晶体（400）面摇摆曲线半峰全宽（FWHM）为57.57″,通过化学腐蚀获得其腐蚀坑位错密度为1.06×10~4cm-2。晶体在紫外截止边为262.1 nm,对应光学带隙为4.67 eV。通过C-V测试分析获得非故意掺杂晶体中的电子浓度为7.77×1016cm-3。