【摘 要】
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用N离子注入制成了ZnSe p-n结二极管。还用在H_2O_2溶液中氧化的ZnSe膜做绝缘层制成了MIS二极管。在室温正向偏压下,从这两种二极管上都观测到了兰色电致发光。外量子效率约
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用N离子注入制成了ZnSe p-n结二极管。还用在H_2O_2溶液中氧化的ZnSe膜做绝缘层制成了MIS二极管。在室温正向偏压下,从这两种二极管上都观测到了兰色电致发光。外量子效率约为10~(-5)。发射可能是由束缚激子引起的。
ZnSe p-n junction diodes were fabricated using N-ion implantation. Also used in H 2 O 2 solution of ZnSe oxide film made of insulation made of MIS diodes. At room temperature forward bias, blue electroluminescence was observed on both diodes. External quantum efficiency of about 10 ~ (-5). Emissions may be caused by bound excitons.
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