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用热丝ＣＶＤ法，以甲烷、氮气和氢气为气源，在Ｓｉ（１１１）衬底上沉积了Ｃ－Ｎ薄膜。用Ｘ射线光电子谱（ｘｐｓ），喇曼光谱（ＲＳ），Ｘ射线衍射（ＸＲＤ）和扫描电镜（ＳＥＭ），对Ｃ－Ｎ薄膜的结构及生长速率进行了分析研究。
热丝CVD法制备C—N薄膜的结构分析
【摘 要】
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用热丝ＣＶＤ法，以甲烷、氮气和氢气为气源，在Ｓｉ（１１１）衬底上沉积了Ｃ－Ｎ薄膜。用Ｘ射线光电子谱（ｘｐｓ），喇曼光谱（ＲＳ），Ｘ射线衍射（ＸＲＤ）和扫描电镜（ＳＥＭ），对Ｃ－Ｎ薄膜的结构及生长速率进行了分析研究。
【机 构】
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西北工业大学材料科学与工程系
【出 处】
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微细加工技术
【发表日期】
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1998年3期
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