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从理论推导分析了键合片的缺陷分布与Weibull模数m之间的关系.此关系与实验相符,并利用此关系很好地解释了硅片键合强度随退火温度变化的关系.
硅片键合界面缺陷分布与Weibull模数的关系
【摘 要】
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从理论推导分析了键合片的缺陷分布与Weibull模数m之间的关系.此关系与实验相符,并利用此关系很好地解释了硅片键合强度随退火温度变化的关系.
【机 构】
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东南大学MEMS教育部重点实验室,东南大学MEMS教育部重点实验室,合肥工业大学理学院
【出 处】
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微纳电子技术
【发表日期】
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2004年12期
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