一种高精度电流型CMOS带隙基准电压源设计

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基于CSMC 0.5μm标准CMOS工艺,设计了一种高精度电流型CMOS带隙基准电压源。仿真结果表明,温度在-40℃~125℃范围内,基准输出电压的温度系数为1.3×10-5/℃;电源电压在3.3~5 V之间变化时,基准输出电压变化为0.076 mV,电源抑制比PSRR为-89 dB。同时,该电路包含修调电路,可在不同工艺角下进行校正,具有温度系数低、电源抑制比高、精度高等特点。 Based on the CSMC 0.5μm standard CMOS process, a high precision current-mode CMOS bandgap voltage reference is designed. The simulation results show that the temperature coefficient of the reference output voltage is 1.3 × 10-5 / ℃ when the temperature is within the range of -40 ℃ ~ 125 ℃. When the power supply voltage varies from 3.3 V to 5 V, the reference output voltage changes to 0.076 mV, The power supply rejection ratio PSRR is -89 dB. At the same time, the circuit contains a trimming circuit, which can be calibrated in different process angles with low temperature coefficient, high power supply rejection ratio and high accuracy.
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