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介绍了深亚微米CMOS器件基于电荷模型、基于表面势模型和基于电导模型的建模方法及其优缺点,并以BSIM系列模型为例,讨论了BSIM系列模型特点及半导体工艺发展对CMOS器件建模方法的影响.
深亚微米CMOS器件建模与BSIM模型
【摘 要】
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介绍了深亚微米CMOS器件基于电荷模型、基于表面势模型和基于电导模型的建模方法及其优缺点,并以BSIM系列模型为例,讨论了BSIM系列模型特点及半导体工艺发展对CMOS器件建模方
【机 构】
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华南理工大学微电子研究所
【出 处】
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微纳电子技术
【发表日期】
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2004年6期
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