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为研究抗热载子损伤的加固技术，对国产Ｎ型ＭＯＳ电容进行了Ｆｏｗｌｅｒ－Ｎｏｒｄｈｅｉｍ衬底的热电子高场注入（ＳＨＥ），并利用高频Ｃ－Ｖ及准静态Ｃ－Ｖ分析技术，从微观氧化物电荷、界面态的感生变化及其界面态的能量分布变化等角度研究了ＭＯＳ结构热载子损伤的特性和机理。
MOS电容的衬底热电子注入响应特性
【摘 要】
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为研究抗热载子损伤的加固技术，对国产Ｎ型ＭＯＳ电容进行了Ｆｏｗｌｅｒ－Ｎｏｒｄｈｅｉｍ衬底的热电子高场注入（ＳＨＥ），并利用高频Ｃ－Ｖ及准静态Ｃ－Ｖ分析技术，从微观氧化物电荷、界面态的感生变化及其界面态的能量分布变化等角度研究
【机 构】
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中国科学院新疆物理研究所
【出 处】
：
核技术
【发表日期】
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2000年12期
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