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提出了一种新型的采用标准CMOS工艺结合MEMS后处理工艺加工的电容式绝对压力传感器．传感器结构部分是由导体／介质层／导体组成的可变电容器．电容的上下极板分别为CMOS工艺中的多晶硅栅和n阱硅，中间介质层为栅氧化层．在CMOS工艺加工完之后，利用选择性的体硅腐蚀、pn结自停止腐蚀以及阳极键合等MEMS后处理工艺来得到传感器结构．与传统的电容式压力传感器相比，这种结构具有更大的初始固有电容，这样可以抑制寄生电容的影响，从而简化检测电路的设计．文中，应用多层膜理论模型分析了传感器的结构，并利用ANSYS有限元