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讨论分析了混频器和衬底驱动MOSFET的工作原理。在此技术基础上设计一个低压模拟混频器。基于TSMC0．25μmCMOS工艺BSIM3V3模型，采用Hspice对整个电路进行仿真。仿真结果表明，该混频器在1.2V的单电源电压下，可以实现对2．4 GHz正弦信号的混频，转换增益为-12．8dB，三阶输入截止点的值为23dB。