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采用Ｌｉｎｅａｒｉｚｅｄ－Ｍｕｆｆｉｎ－Ｔｉｎ－Ｏｒｂｉｔａｌ（ＬＭＴＯ）能带方法对应变超晶格（ＧａＡｓ）ｎ／（ＩｎＡｓ）１（００１）进行自洽计算．在得到较准确能带结构和本征波函数的基础上，计算该超晶格的光学介电函数虚部ε２（ω）、折射率和吸收系数．结果表明，该超晶格表现出的光学性质和ＧａＡｓ 体材料不相同，在１．５～２．５ｅＶ 能量范围的吸收系数增大，且该超晶格在较宽的能量范围内有较好的光谱响应