Design of a novel high holding voltage LVTSCR with embedded clamping diode

来源 :中国物理B:英文版 | 被引量 : 0次 | 上传用户：poabc123

【摘要】

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In order to reduce the latch-up risk of the traditional low-voltage-triggered silicon controlled rectifier(LVTSCR), a novel LVTSCR with embedded clamping diode(

【作者】

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朱玲梁海莲顾晓峰许杰

【机构】

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EngineeringResearchCenterofIoTTechnologyApplications（MinistryofEducation）

【出处】

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中国物理B:英文版

【发表日期】

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2020年6期

【关键词】

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electrostatic discharge silicon controlled rectifier clamping diode holding volt

【基金项目】

：

National Natural Science Foundation of China(Grant No.61504049),the China Postdoctoral Science Foundation(Grant No.2016M600361).

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In order to reduce the latch-up risk of the traditional low-voltage-triggered silicon controlled rectifier(LVTSCR), a novel LVTSCR with embedded clamping diode(DC-LVTSCR) is proposed and verified in a 0.18-μm CMOS process. By embedding a p+implant region

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