【摘 要】
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利用溶液法制备了以HfSiOx为绝缘层、HfInZnO为有源层、Al2O3为界面修饰层的TFT器件。HfSiOx薄膜经Al2O3薄膜修饰后,薄膜表面粗糙度从0.24nm降低至0.16nm。Al2O3薄膜与HfSiOx
【机 构】
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上海大学材料科学与工程学院,上海大学新型显示技术及应用集成教育部重点实验室
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利用溶液法制备了以HfSiOx为绝缘层、HfInZnO为有源层、Al2O3为界面修饰层的TFT器件。HfSiOx薄膜经Al2O3薄膜修饰后,薄膜表面粗糙度从0.24nm降低至0.16nm。Al2O3薄膜与HfSiOx薄膜之间的界面接触良好,以Al2O3为界面修饰层的TFT器件整体性能得到提升,具体表现为：栅极电压正向和反向扫描过程中产生的阈值电压漂移显著减小,器件的阈值电压和亚阈值摆幅降低,迁移率与开关比增大。研究证明,溶液法制备Al2O3薄膜适合作为改善器件性能的界面修饰层。
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