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本文采用2×2矩阵相干势近似和格林函数方法研究了氢原子在混晶半导体Si_xGe_(1-x)表面上的化学吸附,给出了化学吸附能和电荷转移随Si的百分比浓度的变化曲线,计算结果表明:(1) 化学吸附能随Si含量的增加而减小;(2) 电荷转移随Si浓度的增加而缓慢减少;(3) 在化学吸附过程中,氢原子被带上负电。