【摘 要】
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采用离子注入的方法,将钴离子(Co)直接注入到氧化铟锡(ITO)导电玻璃电极表面,制得纳米钴修饰电极(Co/ITO)。通过循环伏安法(CV)、X-射线光电子能谱法(XPS)以及扫描电子显微镜
【机 构】
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中国刑事警察学院法化学系,巴中市南江县高桥乡卫生院,厦门市疾病预防控制中心
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采用离子注入的方法,将钴离子(Co)直接注入到氧化铟锡(ITO)导电玻璃电极表面,制得纳米钴修饰电极(Co/ITO)。通过循环伏安法(CV)、X-射线光电子能谱法(XPS)以及扫描电子显微镜(SEM)等方法对纳米钴修饰电极表面进行了表征。以Co/ITO为工作电极,在0.1 mol L-1Na OH溶液中,峰电流与谷胱甘肽(GSH)浓度在1.0×10-7mol·L-1~2.0×10-6mol·L-1之间呈线性关系,检出限为1.0×10-7mol·L-1。纳米钴修饰电极还体现了良好的稳定性和重现性,可用于实际样品中谷胱甘肽的检测。
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