【摘 要】
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通过分子束外延生长和开管式Zn扩散方法,制备了低暗电流、宽响应范围的In0.53Ga0.47As/InP雪崩光电二极管.在0.95倍雪崩击穿电压下,器件暗电流小于10nA;-5V偏压下电容密度低
【基金项目】
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江苏省科技支撑计划(No.BE2016085);中国科学院重点前沿科学研究项目(No.QYZDB-SSW-JSC014)资助~~
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通过分子束外延生长和开管式Zn扩散方法,制备了低暗电流、宽响应范围的In0.53Ga0.47As/InP雪崩光电二极管.在0.95倍雪崩击穿电压下,器件暗电流小于10nA;-5V偏压下电容密度低至1.43×10-8 F/cm2.在1 310nm红外光照及30V反向偏置电压下,雪崩光电二极管器件的响应范围为50nW20mW,响应度达到1.13A/W.得到了电荷层掺杂浓度、倍增区厚度结构参数与击穿电压和贯穿电压的关系:随着电荷层电荷密度的增加,器件贯穿电压线性增加,而击穿电压线性降低;电荷层电荷面密度为4.8×1012cm-2时,随着倍增层厚度的增加,贯穿电压线性增加,击穿电压增加.通过对器件结构优化,雪崩光电二极管探测器实现25V的贯穿电压和57V的击穿电压,且具有低暗电流和宽响应范围等特性.
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