【摘 要】
：
采用0.15μm GaAs赝配高电子迁移率晶体管（PHEMT）工艺，研制了一款17～21 GHz 6 bit高精度数字移相器。该移相器5.625°移相单元采用嵌入式LC拓扑结构，11.25°和22.5°移相单元采用嵌入式全通网络拓扑结构，45°、90°和180°移相单元采用开关选择型多阶高、低通网络拓扑结构；驱动单元采用直接耦合场效应晶体管逻辑（DCFL）结构。测试结果表明，在17～21 GHz工
论文部分内容阅读
采用0.15μm GaAs赝配高电子迁移率晶体管（PHEMT）工艺，研制了一款17～21 GHz 6 bit高精度数字移相器。该移相器5.625°移相单元采用嵌入式LC拓扑结构，11.25°和22.5°移相单元采用嵌入式全通网络拓扑结构，45°、90°和180°移相单元采用开关选择型多阶高、低通网络拓扑结构；驱动单元采用直接耦合场效应晶体管逻辑（DCFL）结构。测试结果表明，在17～21 GHz工作频率内，该移相器插入损耗的绝对值小于8.5 d B，均方根相位误差（RMS）值小于1.8°，移相寄生调幅在-0.8 d B和0.6 d B之间，电压驻波比（VSWR）小于1.5。
其他文献
基于0.15μm砷化镓赝高电子迁移率晶体管（PHEMT）工艺研制了一种6～18 GHz六位数控移相器，并将其应用在多功能芯片的设计中。根据移相器的带宽要求，5.625°、11.25°、22.5°采用桥T型全通网络结构，45°、90°和180°采用开关选择型全通网络结构。六位数控移相器的有效面积小于3 mm×0.8 mm，在片测试结果表明，芯片在6～18 GHz的频带内移相精度≤3.5°，附加调幅范
基于0.25μm GaAs pHEMT工艺，设计出一种应用于X波段宽带数控移相器的180°移相单元。该设计采用SPDT开关和五阶高通-低通滤波拓扑结构，通过改进SPDT开关、提升滤波器的阶数和改变180°移相单元的切换方式改善电路的插入损耗和相位平坦度，消除由前32个相位产生的相位累积误差。仿真结果表明，180°移相单元插入损耗为2.42～2.67 dB，相移范围为179°～182°，输入输出电压
随着我国经济发展进入新常态,发展速度放缓,非金融企业产能过剩、杠杆率高居不下的问题逐渐暴露出来。因此,迫切需要从生产端、供给端着手改善供给侧环境,推进供给侧结构性改革,助力去杠杆。在此背景下,2016年国务院将市场化债转股提上日程,印发了《关于积极稳妥降低企业杠杆率的意见》,鼓励高负债国有企业通过市场化债转股降低杠杆率。我国虽然在20世纪末进行过一轮政策性债转股,但是与本轮市场化债转股区别较大。考
光聚合技术高效节能,在涂料、粘合剂、微电子和3D打印等应用领域被广泛使用。光源、光引发剂和可聚合介质是该技术的必要条件,三者缺一不可,相辅相成。其中可聚合介质（单体/低聚物）或光源的选取被光聚合的具体应用场景所制约,并且对光引发剂提出了不同要求,如高的光引发效率、低的引发光功率强度、良好的水溶性和生物安全性等。本论文从光引发剂的应用需求着手,分别开发了具有不同特性的自由基型光引发剂。在光固化油墨领
上市公司是国民经济发展的重要力量,其投资效率不仅影响企业自身的生存和发展,也会对经济社会发展产生重大影响。上市公司投资效率问题引起了理论界和实务界的广泛关注,成为企业金融研究的重要前沿课题。近年来,互联网和新一代信息技术迅猛发展,作为我国国民经济主力军的很多上市公司也开始拥抱互联网,将主营业务与互联网融合在一起并利用互联网技术来进行相关的决策分析,即所谓“互联网+”。虽然已经有文献开始探讨“互联网
提出了一种基于支节加载GaN-FET的大功率、低插损、超低功耗移相器。该移相器的核心电路由多节高阻抗微带支节线以及支节末端加载的GaN-FET管芯构成。通过对单支节加载GaN-FET移相器电路模型的详细分析，得到了移相器的插损和相移表达式，并将其作为基本单元进行拓展可得到满足所需工作带宽的多支节加载GaN-FET移相器。由于采用了高阻抗微带线支节，该移相器具有大功率处理能力。结合理论分析，对多支节
碳排放剧增、全球变暖威胁着人类的生产生活,国际社会面临极大挑战,各国积极加入碳减排行动。目前我国正处于“十四五”规划时期,“十四五”是实现碳达峰的窗口期和关键期。出口贸易作为我国国民经济发展的重要动力源,其产生的碳排放问题渐渐成为全社会关注的焦点。长江经济带在我国出口贸易总额中的占比由2002年的34.70%逐渐增长到2019年的48.64%,出口贸易引起的碳排放量从2002年的8584.41万吨
精准扶贫一直是社会关注的热点问题,近年来党和国家在脱贫攻坚道路上进行了诸多探索,鼓励多方社会力量参与到精准扶贫中来。我国企业在政府的大力号召和政策的积极引导下,已将参与精准扶贫这项国家政策视作履行社会责任的一种重要方式。在2021年2月25日的脱贫攻坚表彰大会上,民营企业出色的扶贫表现令人瞩目,有效地推动了精准扶贫、精准脱贫的落实落地,体现了民营经济的社会担当。但相对于国有企业而言,民营企业的扶贫
基于GaAs工艺,设计了一个X波段MMIC六位数字移相器。优化了移相器的拓扑结构,对于小相移的移相器使用微带线代替集总电容,减小了芯片尺寸。仿真结果表明,在8-12 GHz频段内,插入损耗小于8.5d B,输入输出回波损耗小于2,移相精度均方根误差RMS小于2.3°。版图尺寸为1mm×3.2mm。满足设计指标要求,同时达到芯片宽带、小型化的设计理念。